7月28日，三菱電機(jī)集團(tuán)宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導(dǎo)體。去年5月，Novel Crystal Technology曾宣布，羅姆承接了該公司實(shí)施的配股增資。jlLesmc

　　近年來，作為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)取得了長足發(fā)展，而氧化鎵有望實(shí)現(xiàn)更高的擊穿電壓和更低的功率損耗，因而備受期待。三菱電機(jī)希望將其長期積累的低功率損耗、高可靠性功率半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造技術(shù)與Novel Crystal Technology公司的氧化鎵晶圓制造技術(shù)相結(jié)合，加快開發(fā)卓越節(jié)能的氧化鎵功率半導(dǎo)體。jlLesmc

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Novel Crystal Technology主要產(chǎn)品（圖片來自該公司官網(wǎng)）jlLesmc

　　根據(jù)Novel Crystal Technology官網(wǎng)信息顯示，該公司最新募資總額為9.5 億日元 ，其中三菱電機(jī)、ALCONIX 全球創(chuàng)新基金投資事業(yè)有限責(zé)任合伙企業(yè)、ALCONIX VENTURES、太陽日酸、CBC株式會(huì)社、TNP Threads of Light 為新投資方。jlLesmc

　　該公司稱，自2022財(cái)年上次增資以來，其一直致力于提高β-Ga₂O₃ 100 mm 外延片的質(zhì)量，并構(gòu)建能夠?qū)崿F(xiàn)超低損耗、大電流功率器件的量產(chǎn)體系。此外，該公司還積極投入二極管和晶體管的開發(fā)，并取得了很多開發(fā)成果。該公司2022年至2023年主要成果為：jlLesmc

• 制作世界首個(gè)倒置氧化鎵DI-MOS晶體管<2022年9月>；
• 開發(fā)下一代功率半導(dǎo)體β型氧化鎵晶體缺陷成像技術(shù)<2022年12月>；
• 在日本首次成功確認(rèn)了搭載氧化鎵肖特基勢(shì)壘二極管的實(shí)際350W電流連續(xù)功率因數(shù)校正電路的動(dòng)作<2023年4月>；

　　Novel Crystal Technology表示，通過本次增資獲得的資金以及與投資者的合作，其將進(jìn)一步加快產(chǎn)品開發(fā)，推動(dòng)β-Ga₂O₃的商業(yè)化。jlLesmc

　　具體而言，本次增資獲得的資金將用于增加肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)100mm晶圓的產(chǎn)量，計(jì)劃從本財(cái)年起向企業(yè)、大學(xué)、研究機(jī)構(gòu)等提供樣品。同時(shí)，該公司還計(jì)劃將資金分配給制造投資、開發(fā)制造技術(shù)以提高晶圓質(zhì)量和降低成本，以及開發(fā)展示超越SiC的β-Ga₂O₃器件的性能。此外，該公司還將繼續(xù)推進(jìn)晶圓直徑和質(zhì)量的提高、晶體管性能的提高等開發(fā)。jlLesmc

　　根據(jù)日經(jīng)新聞去年8月的報(bào)道，Novel Crystal Technology由“氧化鎵(GaO)”制成的晶圓最早將于2025年開始量產(chǎn)。按計(jì)劃，該公司2025年起每年生產(chǎn)2萬枚100毫米晶圓，到2028年量產(chǎn)生產(chǎn)效率更高的200毫米晶圓。jlLesmc

　　據(jù)了解，Novel Crystal Technology是世界上最早開發(fā)、制造和銷售功率半導(dǎo)體用氧化鎵(Ga₂O₃)晶圓的公司之一，擁有三菱電機(jī)制造氧化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的晶圓制造技術(shù)，是氧化鎵晶圓領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。該公司成立于2015年6月，并主要從事氧化鎵外延薄膜襯底的制造與銷售(涵蓋單晶及應(yīng)用產(chǎn)品等)。截至2023年7月28日，該公司注冊(cè)資本為6.3988億日元，其股東包括田村、AGC、特瑞仕半導(dǎo)體、Hazama Ando、JX金屬、安川電機(jī)、三菱電機(jī)、Iwatani 風(fēng)險(xiǎn)投資、羅姆、佐鳥電機(jī)、Alconix Ventures、大陽日酸、新電元、雙日機(jī)械、CBC、TNP Threads Of Light等。jlLesmc

　　據(jù)《國際電子商情》獲悉，2022年3月1日，Novel Crystal Technology宣布，其與太陽日酸株式會(huì)社和東京農(nóng)業(yè)技術(shù)大學(xué)合作，首次成功地利用鹵化物氣相外延(HVPE)方法在6英寸晶圓上沉積了下一代半導(dǎo)體材料β-Ga₂O₃。jlLesmc

　　2022年3月14日，Novel Crystal Technology已經(jīng)與佐賀大學(xué)合作開發(fā)了第三代氧化鎵100毫米外延片。該公司和佐賀大學(xué)改進(jìn)了外延片的制造技術(shù)，并將致命缺陷的數(shù)量減少到傳統(tǒng)晶圓的1/10。這一技術(shù)改進(jìn)促使氧化鎵在火車、工業(yè)設(shè)備和電動(dòng)汽車所需的100 a級(jí)動(dòng)力裝設(shè)備中的商業(yè)化使用成為可能。jlLesmc

　　2022年9月，Novel Crystal Technolog已經(jīng)確認(rèn)了具有足夠高閾值電壓(6 V)的高擊穿電壓(1 kV)氧化鎵反向雙植入MOS晶體管(DI-MOSFET)的基本操作，作為其參與國家安全技術(shù)研究促進(jìn)基金(JP004596)的“反向MOS溝道型氧化鎵晶體管的研究與開發(fā)”計(jì)劃的一部分。這一 創(chuàng)舉是世界首個(gè)在氧化鎵(β-Ga₂O₃)研究上所取得的成就，該技術(shù)將極大地推動(dòng)中高壓(0.6-10 kV)氧化鎵晶體管的發(fā)展，從而推動(dòng)電力電子產(chǎn)品向更低價(jià)格和更高性能邁進(jìn)。jlLesmc

　　2022年12月，該公與一般財(cái)團(tuán)法人精密陶瓷中心和兵庫縣公立大學(xué)法人兵庫縣立大學(xué)等共同合作，利用X射線衍射現(xiàn)象之一的“異常透射現(xiàn)象”，進(jìn)行X光。就像用攝影檢查人體一樣，在世界上首次成功地在短時(shí)間內(nèi)、非破壞的情況下全部可視化β-Ga₂O₃晶體內(nèi)部的各種晶格缺陷（如下圖）。利用該技術(shù)，可以精確掌握晶體內(nèi)缺陷的空間分布和缺陷種類的相關(guān)信息，為優(yōu)化晶體生長條件提供準(zhǔn)確的反饋。面向β-Ga₂O₃功率器件的普及，可以期待結(jié)晶的高品質(zhì)化的進(jìn)一步加速。jlLesmc

圖片來自Novel Crystal Technology公司官網(wǎng)jlLesmc